Bidirektionales MOSFET-Schalter-Antriebsmodul, DC Two Infineon IMYH200R012M1H, 2000 V, 94 A, 188 kW, Triggerschaltplatine, Antriebsmodul 1 MHz PWM-Anpassung, elektronische Schalter-Steuerplatine,

Produktbeschreibung

Hochgeschwindigkeitsschaltung: Unsere Leiterplatte integriert einen isolierten 6-W-DC/DC-Wandler, der die benötigte Leistung liefert, um MOSFETs bis zu und über 1 MHz für einen schnellen und effizienten Betrieb zu schalten. Robuste Konstruktion: Hergestellt aus einem 2 mm dicken FR-4 TG155-Material mit ENIG-Gold-Finish und Epoxid-gefüllten Durchkontaktierungen für zusätzliche Haltbarkeit und Langlebigkeit. Präzises Design: Entwickelt für Geschwindigkeit, Leistung und Präzision, sorgt diese leistungsstarke MOSFET-Treiber-Leiterplatte für optimale Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen. Effiziente Stromversorgung: Der integrierte isolierte 6-W-DC/DC-Wandler bietet reichlich Leistung, um MOSFETs mit größeren Gate-Ladungen zu schalten und einen effizienten Betrieb zu gewährleisten. Vielseitige Anwendung: ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, die eine schnelle und präzise MOSFET-Schaltung erfordern, wie Leistungselektronik, Motorsteuerung und industrielle Automatisierung. Diese Platine verwendet duale MOSFETs in einer gemeinsamen Quellenanordnung, um den Strom in beide Richtungen zu blockieren. Ein einzelner MOSFET kann den Strom nur in eine Richtung blockieren, da die Eigenkörperdiode vorhanden ist, die den Strom in die entgegengesetzte Richtung frei leitet. Im Gegensatz zu einem Standard-MOSFET, der Strom in nur eine Richtung blockiert, stoppt diese Platine den Stromfluss in beide Richtungen, wenn sie ausgeschaltet ist. Dies wird durch die Back-to-Back-MOSFETs erreicht, wodurch die Einschränkungen der Körperdiode eines einzelnen MOSFET eliminiert werden.